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BC636详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC636,116详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：830mW; 频率_转换：145MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

BC636_J35Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP EPTXL 45V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC636BU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC636TA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

BC636TAR详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

BY229-600-E3/45
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-220-2 DIODE 8A 600V 145NS TO-220AC
BAT54A
二极管，整流器 - 阵列 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT-23
BC635ZL1G
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR NPN GP 45V 1A TO-92
C1206C680J5GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 68PF 50V 5% NP0 1206
74AHC541BQ,115
逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 20-VFQFN 裸露焊盘 IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20DHVQFN
74457018
固定式 Wurth Electronics Inc 非标准 INDUCTOR POWER 1.8UH 13A SMD
74408943150
固定式 Wurth Electronics Inc 非标准 INDUCTOR POWER 15UH 1.4A SMD
B8J3K0E
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR POWER 3.0K OHM 8W 5%
BAT54A,235
二极管，整流器 - 阵列 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHTK DUAL 30V 200MA SOT23
C1206C681F1GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 680PF 100V 1% NP0 1206
74AHC541D,112
逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20SOIC
74408943680
固定式 Wurth Electronics Inc 非标准 INDUCTOR POWER 68UH .60A SMD
74457056
固定式 Wurth Electronics Inc 非标准 INDUCTOR POWER 5.6UH 7.8A SMD
B8J5R0
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR POWER 5.0 OHM 8W 5%
BY229B-600-E3/81
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE 8A 600V 145NS TO-263AB

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C1206C680J5GACTU

74AHC541BQ,115

74457018

74408943150

B8J3K0E

BAT54A,235

C1206C681F1GACTU

74AHC541D,112

74408943680

74457056

B8J5R0

BY229B-600-E3/81