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BC618详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL NPN 55V TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：55V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.1V @ 200µA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 200mA，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：150MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC618,112详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL NPN 55V 500MA TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：55V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.1V @ 200µA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：50µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 200mA，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：155MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：管件

BC618G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL NPN 55V TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：55V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.1V @ 200µA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 200mA，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：150MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC618RL1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL NPN 55V TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：55V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.1V @ 200µA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 200mA，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：150MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

BC618RL1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL NPN 55V TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：55V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.1V @ 200µA，200mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 200mA，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：150MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

C0805C439D1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 4.3PF 100V NP0 0805
C0603C0G1E470J
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 47PF 25V 5% NP0 0201
BC618,112
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANS DARL NPN 55V 500MA TO-92
C0603Y153K3RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.015UF 25V 10% X7R 0603
C1812C101MDRACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 100PF 1KV 20% X7R 1812
BD13716S
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR NPN 60V 1.5A TO-126
C1358.21.02
多芯导线 General Cable/Carol Brand TO-225AA，TO-126-3 2C/16 SPKR WIRE WHT 1000SP
C0805C470F5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 50V 1% NP0 0805
C200H-ATTA1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） INSULATNG PANEL 10-SLOT
C0603Y183K3RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.018UF 25V 10% X7R 0603
C1812C102J2GACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 1000PF 200V 5% NP0 1812
BD138
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANS PNP 60V 1.5A BIPO TO-252AA
C1358.30.10
多芯导线 General Cable/Carol Brand TO-225AA，TO-126-3 2C/16 SPKR WIRE GRY 1000PP
C200H-ATTA1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-225AA，TO-126-3 INSULATNG PANEL 10-SLOT
C0805C470G1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 100V 2% NP0 0805

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