

BC548B详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN GP 30V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC548B详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC548B_J35Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN EPTXL 30V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC548BBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC548BG详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN GP 30V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC548BRL1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN GP 30V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
- 二极管,整流器 - 阵列 STMicroelectronics SOT-563,SOT-666 DIODE SCHOTTKY 100V PAR SOT-666
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92
- 数据采集 - 数模转换器 Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC DAC 16BIT QUAD W/SPI 16-TSSOP
- D-Sub ITT Cannon DSUB 37 M NMB G50
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 56-TFSOP(0.240",6.10mm 宽) IC FPD-LINK 24BIT TX 56-TSSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 1UF 4V 20% X7S 0805
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165TFBGA
- 二极管,整流器 - 阵列 STMicroelectronics SOT-563,SOT-666 DIODE SCHOTTKY LOCAP OPP SOT-666
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 0.022UF 100V RADIAL
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 56-TFSOP(0.240",6.10mm 宽) IC RCVR LVDS FPD 24BIT 56TSSOP
- D-Sub ITT Cannon CONN DSUB PLUG 37POS PCB
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 1.5UF 4V 20% X7S 0805
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM SYNC 72MB DDR2 165TFBGA
- 二极管,整流器 - 阵列 STMicroelectronics SC-70,SOT-323 DIODE SCHOTTKY 100V CA SOT-323-3
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 0.022UF 100V RADIAL