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BC548详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：500mW; 频率_转换：300MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC548_D81Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：500mW; 频率_转换：300MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

BC548_J35Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN EPTXL 30V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：500mW; 频率_转换：300MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC548A详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：500mW; 频率_转换：300MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC548A_J35Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN EPTXL 30V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：500mW; 频率_转换：300MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC548ABU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：500mW; 频率_转换：300MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

C1608X7R1C333M
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.033UF 16V 20% X7R 0603
BD63877EFV-E2
PMIC - 电机和风扇控制器，驱动器 Rohm Semiconductor 28-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘 IC MOTOR DVR 28V 2.0A 28-HTSSOP
BC547TFR
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
BG3031SQ
保险丝座 Cooper Bussmann TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 FUSEBLK 25-30A 480V 1POS CLASS G
B82432T1104K
固定式 EPCOS Inc 1812（4532 公制） INDUCTOR 100UH 200MA 1812 10%
C0603C189D5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1.8PF 50V NP0 0603
BAT 62-02LS E6327
RF 二极管 Infineon Technologies 2-XFDFN DIODE SCHOTTKY 40V TSSLP-2
C1608X7R1C333M
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.033UF 16V 20% X7R 0603
74AUP1G79GW,125
逻辑 - 触发器 NXP Semiconductors 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC D F-F POS-EDGE TRIGGER 5TSSOP
BG3032SQ
保险丝座 Cooper Bussmann TO-226-3、TO-92-3 标准主体 FUSEBLK 25-30A 480V 2POS CLASS G
C0603C189D5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1.8PF 50V NP0 0603
C1608X7R1C333M
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.033UF 16V 20% X7R 0603
BAT 62-02W H6327
RF 二极管 Infineon Technologies SC-80 DIODE SCHOTTKY 40V 20MA SCD80
B82432T1105K
固定式 EPCOS Inc 1812（4532 公制） INDUCTOR 1000UH 70MA 1812 10%
74AUP1G80GM,115
逻辑 - 触发器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC F-F D-TYPE POS-EDGE 6-XSON

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