BC517详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1.2A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V
- 功率_最大：625mW
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
BC517详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL NPN 30V 1A TO-92
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V
- 功率_最大：625mW
- 频率_转换：200MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
BC517,112详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL NPN 30V 500MA TO-92
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V
- 功率_最大：625mW
- 频率_转换：220MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：管件
BC517,116详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL NPN 30V 500MA TO-92
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V
- 功率_最大：625mW
- 频率_转换：220MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：带卷 (TR)
BC517_D26Z详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL NPN 30V 1.2A TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1.2A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V
- 功率_最大：625mW
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：带卷 (TR)
BC517_D27Z详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL NPN 30V 1.2A TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1.2A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V
- 功率_最大：625mW
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：带卷 (TR)
- 线性 - 音頻放大器 Rohm Semiconductor 24-VSSOP（0.220"，5.60mm 宽）裸露焊盘 IC AMP AUDIO PWR 5W STER 24TSSOP
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 180PF 50V 5% NP0 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANS DARL PNP 30V 1A TO-92
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 35V 10% X6S 0603
- 二极管，整流器 - 阵列 STMicroelectronics SC-70，SOT-323 IC DIODE SCHOTTKY SOT-323-3
- 晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-205AD，TO-39-3 金属罐 TRANSISTOR NPN 120V 5A TO-39
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Diodes Inc 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC GATE OR SGL 2INP SOT353
- 固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 100UH 60MA 1210 10%
- 线性 - 音頻放大器 Rohm Semiconductor 48-VFQFN 裸露焊盘 IC AMP AUDIO PWR 17W STER 48VQFN
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 35V 20% X6S 0603
- 二极管，整流器 - 阵列 STMicroelectronics SOT-563，SOT-666 DIODE SCHOTTKY SS PAR SOT-666
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1210 100UH 10%
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC 3-IN OR GATE LP 6-XSON
- 线性 - 音頻放大器 Rohm Semiconductor 44-VSOP（0.295"，7.50mm 宽） IC AMP AUDIO PWR 10W D 44TSSOP
- RF FET Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
0755-83663430 
0755-18503085 
0755-88291559 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-22655674 
0755-84507209 
0512-67241533 
13681678667 
19520735817/1 
0755-82533156 
0755-83244680 
0755-23995152 
0755-88917652 
0755-82561519 
