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BC516详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC516_D27Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL PNP 30V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

BC516_D74Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL PNP 30V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

BC516_D75Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL PNP 30V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

BC516_J35Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC516_L34Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL PNP 30V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30000 @ 20mA，2V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

74AUP1G32GW/DG,125
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC 2-IN OR GATE LP 5-TSSOP
C0603C181J5GACAUTO
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 180PF 50V 5% NP0 0603
BC516_J35Z
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92
C1608X6S1V105K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 35V 10% X6S 0603
BAS70-06W,115
二极管，整流器 - 阵列 NXP Semiconductors SC-70，SOT-323 DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323
BFU725F,115
RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors SOT-343F TRANS NPN 20GHZ SOT343F
B82422T1102K
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 1.0UH 400MA 1210 10%
74AUP1G32SE-7
逻辑 - 栅极和逆变器 Diodes Inc 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC GATE OR SGL 2INP SOT353
BD5413EFV-E2
线性 - 音頻放大器 Rohm Semiconductor 24-VSSOP（0.220"，5.60mm 宽）裸露焊盘 IC AMP AUDIO PWR 5W STER 24TSSOP
C1608X6S1V105K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 35V 10% X6S 0603
BAS70-06WFILM
二极管，整流器 - 阵列 STMicroelectronics SC-70，SOT-323 IC DIODE SCHOTTKY SOT-323-3
BFX34
晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-205AD，TO-39-3 金属罐 TRANSISTOR NPN 120V 5A TO-39
74AUP1G32SE-7
逻辑 - 栅极和逆变器 Diodes Inc 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC GATE OR SGL 2INP SOT353
B82422T1104K
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 100UH 60MA 1210 10%
BD5423MUV-E2
线性 - 音頻放大器 Rohm Semiconductor 48-VFQFN 裸露焊盘 IC AMP AUDIO PWR 17W STER 48VQFN

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BFU725F,115

B82422T1102K

74AUP1G32SE-7

BD5413EFV-E2

C1608X6S1V105K

BAS70-06WFILM

BFX34

74AUP1G32SE-7

B82422T1104K

BD5423MUV-E2