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BC373详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.1V @ 250µA，250mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC373G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.1V @ 250µA，250mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC373RL1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.1V @ 250µA，250mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

BC373RL1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.1V @ 250µA，250mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

BC373RL1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.1V @ 250µA，250mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：剪切带 (CT)

BC373ZL1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.1V @ 250µA，250mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

C1608C0G1H560J
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 56PF 50V 5% NP0 0603
C1210C333KCRACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.033UF 500V X7R 1210
BC369ZL1G
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR PNP 20V 1A TO-92
C0603C0G1E150GTX
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 15PF 25V 2% NP0 0201
74HC04PW,118
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC HEX INVERTER 14-TSSOP
B82498F3681G
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 0805 680 NH 2%
C0402C109C8GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 1PF 10V NP0 0402
C1608C0G1H560J
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 56PF 50V 5% NP0 0603
BD2-2880UC
配件 CBM America Corporation 0603（1608 公制） CONTROL BOARD THERMAL PRINTER
C0603C0G1E150J
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 15PF 25V 5% NP0 0201
74HC04PW-Q100,118
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC HEX INVERTER CMOS 14TSSOP
C0402C109D5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 1PF 50V NP0 0402
C1608C0G1H562J
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 5600PF 50V 5% NP0 0603
BD2-2890U
配件 CBM America Corporation 0603（1608 公制） CONTROL BOARD THERMAL PRINTER
B82498F3681J
固定式 EPCOS Inc 0805（2012 公制） INDUCTOR 680NH 190MA 0805 5%

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