

BC33725详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC33725_J35Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN EPTXL 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC33725BU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC33725TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:剪切带 (CT)
BC33725TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
BC33725TAR详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
- 连接器,互连器件 TE Connectivity DO-204AH,DO-35,轴向 CONN RCPT 41POS FLANGE W/SKT
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANS NPN GP 500MA 45V TO92
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-226-3、TO-92-3 标准主体 3G3_X BRAKING RESISTOR, REFER
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 30UF 300VDC RADIAL
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Rohm Semiconductor 8-VFDFN 裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC 3.3V 2A 8SON
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 220UF 6.3V 20% SMD
- 单二极管/整流器 Micro Commercial Co SC-76,SOD-323 DIODE GP 200V 200MA SOD323
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity SC-76,SOD-323 CONN HSG RCPT FLANGE 41POS SKT
- 陶瓷 AVX Corporation 0606(1616 公制) CAP CER 47PF 150V 2% 0606
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Rohm Semiconductor 8-HSON IC REG BUCK SYNC ADJ 0.8A 8HSON
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 10UF 450VDC RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0606(1616 公制) CAP CER 56PF 150V 10% 0606
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 47UF 10V 20% SMD
- 单二极管/整流器 Vishay Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE SS SWITCH 200V 250MA DO35
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity DO-204AH,DO-35,轴向 CONN HSG RCPT FLANGE 41POS SKT