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BC33716详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC33716_J35Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN EPTXL 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC33716BU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC33716TA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

BC33716TA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：剪切带 (CT)

BC33716TAR详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

B43505A2477M87
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 250V
7125
配件 Keystone Electronics CARRIER BD
BC848B,215
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
BB 831 E7904
可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） Infineon Technologies SC-76，SOD-323 DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
BC32825BU
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR PNP 25V 800MA TO-92
B32654A224K
薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 0.22UF 10% 1000V MKP
B32652A1472J189
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 4.7NF 5% 1600V
BD9584F-E2
PMIC - 电源管理 - 专用 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） IC CURR DETECT EARTH LEAK 8SOP
B43505A2687M60
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 680UF 250V
B32654A2333J000
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.033UF 2KVDC RADIAL
BC848B-TP
晶体管(BJT) - 单路 Micro Commercial Co TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 100MA 30V SOT-23
BB 831 E7904
可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） Infineon Technologies SC-76，SOD-323 DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
B32652A1472K
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 4.7NF 10% 1600V MKP
BD9584F-E2
PMIC - 电源管理 - 专用 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） IC CURR DETECT EARTH LEAK 8SOP
B43505A5157M62
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 150UF 450V

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