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BC328详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 25V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC328_J35Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP EPTXL 25V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC32816BU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 25V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC32816TA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 25V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

BC32825详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 25V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC32825_J35Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP EPTXL 25V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

6278899-4
光纤 TE Connectivity CA,62.5,MTRJ-SC
BAS116T-7-F
单二极管/整流器 Diodes Inc SOT-523 DIODE SWITCH 85V 150MW SOT523
BC328_J35Z
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANS PNP EPTXL 25V 800MA TO-92
AVES226M35D16T-F
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - SMD CAP ALUM 22UF 35V 20% SMD
B37987M1183K051
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.018UF 100V 10% RADIAL
C200H-CN222
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 径向 CABLE CONNECTING 2M
B41042A6108M
电容器 EPCOS Inc 1000UF 50V 16X31.5 SINGLE END
ATS-52290B-C2-R0
热敏 - 散热器 Advanced Thermal Solutions Inc HEAT SINK 29MM X 29MM X 7.5MM
6278899-4
光纤 TE Connectivity CA,62.5,MTRJ-SC
AVL32259
快动，限位，拉杆 Panasonic Electric Works TO-226-3、TO-92-3 标准主体 SWITCH SNAP FS-T HINGE SILV SLD
ATS-52310G-C2-R0
热敏 - 散热器 Advanced Thermal Solutions Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 HEAT SINK 31MM X 31MM X 12.5MM
C200H-CN229-EU
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-226-3、TO-92-3 标准主体 CABLE PT/ASC02 TO 9POS 2M
B37987M1183K051
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.018UF 100V 10% RADIAL
B41042A6155M
电容器 EPCOS Inc 1.5UF 50V 5X11 SINGLE END
6278899-5
光纤 TE Connectivity CA,62.5,MTRJ-SC

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