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BC307详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：15nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 2mA，5V; 功率_最大：500mW; 频率_转换：130MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC307_J35Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP EPTXL 45V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：15nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 2mA，5V; 功率_最大：500mW; 频率_转换：130MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC307ABU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：15nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 2mA，5V; 功率_最大：500mW; 频率_转换：130MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC307ATA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：15nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 2mA，5V; 功率_最大：500mW; 频率_转换：130MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

BC307B详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：15nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：280MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC307B详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：15nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V; 功率_最大：500mW; 频率_转换：130MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

B41042A126M
电容器 EPCOS Inc 12UF 80V 6.3X11 SINGLE END
ATS400BSM-1
晶体 CTS-Frequency Controls HC49/US CRYSTAL 40.0 MHZ 18PF 3OT SMD
BC307ATA
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92
C200H-B7AO1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TERM BLOCK PLC 16POS OUTPUT
BAS 40-05 E6327
二极管，整流器 - 阵列 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY 40V SOT-23
6278895-2
光纤 TE Connectivity TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 C/A 62.5/125 RIS SC MTRJ 2M1
AVE105M50B12T-F
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - SMD CAP ALUM 1UF 50V 20% SMD
ATS480A-E
晶体 CTS-Frequency Controls HC49/US CRYSTAL 48.0 MHZ 20 PF 3OT
B41042A187M
电容器 EPCOS Inc 180UF 80V 12.5X25 SINGLE END
C200H-BAT09
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-226-3、TO-92-3 标准主体 C200H REPLACEMENT BATTERY
AVE105M50B12T-F
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - SMD CAP ALUM 1UF 50V 20% SMD
6278895-2
光纤 TE Connectivity 径向，Can - SMD C/A 62.5/125 RIS SC MTRJ 2M1
BAS 40-06 B5003
二极管，整流器 - 阵列 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHTKY CA 40V 120MA SOT-23
B37987F1223K051
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.022UF 100V 10% RADIAL
ATS480B
晶体 CTS-Frequency Controls HC49/US CRYSTAL 48.0 MHZ 18 PF 3OT

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