BC237B详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：15nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V
- 功率_最大：500mW
- 频率_转换：250MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
BC237B_J35Z详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN EPTXL 45V 100MA TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：15nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V
- 功率_最大：500mW
- 频率_转换：250MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
BC237BBU详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：15nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V
- 功率_最大：500mW
- 频率_转换：250MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
BC237BG详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：15nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：1W
- 频率_转换：200MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
BC237BRL1详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：15nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：350mW
- 频率_转换：200MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：带卷 (TR)
BC237BRL1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：15nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：1W
- 频率_转换：200MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：剪切带 (CT)
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANS DARL PNP 60V 4A BIPO TO225
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 2.2UF 630VDC RADIAL
- 二极管，整流器 - 阵列 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT-23
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CONN HSG RCPT FLANGE 8POS PIN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 3G3_X BRAKING RESISTOR
- 电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 150UF 10V 20% SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 0.8PF 150V 0606
- 晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR DARL NPN SOT-32
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 CONN HSG RCPT FLANGE 8POS PIN
- 单二极管/整流器 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY 40V 750MA SOT23-3
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 3G3_X BRAKING RESISTOR
- 陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 10PF 150V 1% 0606
- 电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 150UF 10V 20% SMD
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR PNP 100V 4A TO-126
0755-88917652 
15821228847 / 
0755-22655674 
075584505750 
83209217 
0755-83291010 
171-4755-1968 
0755-88291559 
0755-83051566 
18927479189 
0755-83747144 
0755-83247290 
13910052844（微 
13910052844（微 
