

BC214L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 30V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:140 @ 2mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC214L_D26Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 30V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:140 @ 2mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
BC214L_J35Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS BIPO GP PNP 30V 500MA TO-9
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:140 @ 2mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC214L_L34Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 30V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:140 @ 2mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC214LB详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 30V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:140 @ 2mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC214LB_J35Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS BIPO GP PNP 30V 500MA TO-9
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:140 @ 2mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
- 二极管,整流器 - 阵列 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SWITCH 85V 250MW SOT23-3
- 晶体管(BJT) - 单路 Micro Commercial Co SC-70,SOT-323 TRANS NPN 45V 100MA SOT323
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 47NF 10% 1000V MKP
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR PNP 30V 500MA TO-92
- 线性 - 视频处理 Rohm Semiconductor 64-SSOP IC INTERFACE VID-AUD 64SSOP
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1000UF 200V
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1800UF 200V
- 螺钉和螺母驱动器 - 刀片和钻头组 Wiha BIT PACK INSERT PHIL #2 1" 6/PKG
- 晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.1UF 10% 630V MKP
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1000UF 200V
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor IC REG 5A LDO VOLT
- 共模扼流圈 Bourns Inc. 垂直式,无底座,2 PC 引脚 INDUCTOR EMI COMMON MODE 8mH 15%
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1800UF 200V
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN GP 100MA 45V SOT23