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BC183详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 10µA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：150MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC183_D26Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 10µA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：150MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

BC183_D27Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 10µA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：150MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

BC183_D75Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 10µA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：150MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

BC183_J35Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS BIPO GP NPN 30V 100MA TO-9; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 10µA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：150MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC183C详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：150MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

C0603C330J2GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 33PF 200V 5% NP0 0603
BCX 69-16 E6327
晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-243AA TRANS PNP AF 20V SOT-89
C0402C333K8PACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.033UF 10V 10% X5R 0402
C0402C0G1C8R2B
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 8.2PF 16V NP0 01005
BC183_D26Z
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92
B82469G1682M
固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 6.8UH .90A SMD
C0603C330J5GAC7411
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 33PF 50V 5% NP0 0603
BCX 69-25 E6327
晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-243AA TRANSISTOR PNP AF 20V SOT-89
C0402C333K8RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.033UF 10V 10% X7R 0402
C0603C330J5GACAUTO
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 33PF 50V 5% NP0 0603
BCX 70K E6327
晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS NPN AF 45V SOT-23
C0402C333K8RALTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.033UF 10V 10% X7R 0402
C0402C0G1C8R2D
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 8.2PF 16V NP0 01005
B82470A1473M
固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 47UH 320MA SMD
BC184LC
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR NPN 30V 200MA TO-92

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