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BAV23A,215详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE SW HI-VOLT DUAL SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.25V @ 200mA; 电流_在Vr时反向漏电：100nA @ 200V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：225mA（DC）; 电压_333Vr444（最大）：200V; 反向恢复时间333trr444：50ns; 二极管类型：标准; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 二极管配置：1 对共阳极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：剪切带 (CT)

BAV23A,215详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE SW HI-VOLT DUAL SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.25V @ 200mA; 电流_在Vr时反向漏电：100nA @ 200V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：225mA（DC）; 电压_333Vr444（最大）：200V; 反向恢复时间333trr444：50ns; 二极管类型：标准; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 二极管配置：1 对共阳极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：Digi-Reel®

BAV23A,215详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE SW HI-VOLT DUAL SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.25V @ 200mA; 电流_在Vr时反向漏电：100nA @ 200V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：225mA（DC）; 电压_333Vr444（最大）：200V; 反向恢复时间333trr444：50ns; 二极管类型：标准; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 二极管配置：1 对共阳极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BAV23A-7详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE SWITCH 350MW 200V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.25V @ 200mA; 电流_在Vr时反向漏电：100nA @ 200V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：400mA（DC）; 电压_333Vr444（最大）：200V; 反向恢复时间333trr444：50ns; 二极管类型：标准; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 二极管配置：1 对共阳极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

BAV23A-7详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE SWITCH 350MW 200V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.25V @ 200mA; 电流_在Vr时反向漏电：100nA @ 200V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：400mA（DC）; 电压_333Vr444（最大）：200V; 反向恢复时间333trr444：50ns; 二极管类型：标准; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 二极管配置：1 对共阳极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：剪切带 (CT)

BAV23A-7-F详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE SWITCH 400MA 200V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.25V @ 200mA; 电流_在Vr时反向漏电：100nA @ 200V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：400mA（DC）; 电压_333Vr444（最大）：200V; 反向恢复时间333trr444：50ns; 二极管类型：标准; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 二极管配置：1 对共阳极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：剪切带 (CT)

C3D03060F
单二极管/整流器 Cree Inc TO-220-2 全封装，隔离接片 DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220
BSC900N20NS3 G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
7-1879213-0
芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 0402（1005 公制） RES 154 OHM 1/16W 0.1% 0402
BAV23,215
二极管，整流器 - 阵列 NXP Semiconductors TO-253-4，TO-253AA DIODE SW DBL 200V 225MA SOT143B
B43524K9567M
电容器 EPCOS Inc 560UF 400V 35X60 SOLDER PIN
BQ2000TSN-B5TRG4
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC CHRG MGMT MULTICHEM 8-SOIC
B41693A8337Q7
电容器 EPCOS Inc 330UF 63V 16X30 AXIAL
C3D04065A
单二极管/整流器 Cree Inc TO-220-2 DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2
BSD816SN L6327
FET - 单 Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
B43524L5567M
电容器 EPCOS Inc 560UF 450V 40X60 SOLDER PIN
BQ2002DSNTRG4
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC CONTROLLER FASTCHRGE 8-SOIC
B41693A9687Q7
电容器 EPCOS Inc 680UF 100V 21X39 AXIAL
BSF045N03MQ3 G
FET - 单 Infineon Technologies 3-WDSON MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
7-1879213-1
芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 0402（1005 公制） RES 158 OHM 1/16W 0.1% 0402
C3D06060A
单二极管/整流器 Cree Inc TO-220-2 DIODE SCHOT 600V 6A ZREC TO220

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