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BAV170详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE SWITCH 250MW 85V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.1V @ 50mA; 电流_在Vr时反向漏电：5nA @ 75V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：125mA（DC）; 电压_333Vr444（最大）：85V; 反向恢复时间333trr444：3µs; 二极管类型：标准; 速度：小信号 =＜ 200mA（Io），任意速度; 二极管配置：1 对共阴极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

BAV170详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE SWITCH 250MW 85V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.1V @ 50mA; 电流_在Vr时反向漏电：5nA @ 75V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：125mA（DC）; 电压_333Vr444（最大）：85V; 反向恢复时间333trr444：3µs; 二极管类型：标准; 速度：小信号 =＜ 200mA（Io），任意速度; 二极管配置：1 对共阴极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：剪切带 (CT)

BAV170,215详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE SW DUAL 75V 215MA SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.25V @ 150mA; 电流_在Vr时反向漏电：5nA @ 75V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：215mA（DC）; 电压_333Vr444（最大）：75V; 反向恢复时间333trr444：3µs; 二极管类型：标准; 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）; 二极管配置：1 对共阴极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BAV170,215详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE SW DUAL 75V 215MA SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.25V @ 150mA; 电流_在Vr时反向漏电：5nA @ 75V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：215mA（DC）; 电压_333Vr444（最大）：75V; 反向恢复时间333trr444：3µs; 二极管类型：标准; 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）; 二极管配置：1 对共阴极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BAV170,215详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE SW DUAL 75V 215MA SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.25V @ 150mA; 电流_在Vr时反向漏电：5nA @ 75V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：215mA（DC）; 电压_333Vr444（最大）：75V; 反向恢复时间333trr444：3µs; 二极管类型：标准; 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）; 二极管配置：1 对共阴极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：剪切带 (CT)

BAV170,215详细规格: 类别：二极管，整流器 - 阵列; 描述：DIODE SW DUAL 75V 215MA SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.25V @ 150mA; 电流_在Vr时反向漏电：5nA @ 75V; 电流_平均整流333Io444（每个二极管）：215mA（DC）; 电压_333Vr444（最大）：75V; 反向恢复时间333trr444：3µs; 二极管类型：标准; 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）; 二极管配置：1 对共阴极; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：Digi-Reel®

C0402C508D3GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.5PF 25V NP0 0402
C0603C102F5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1000PF 50V 1% NP0 0603
B43821A1106M
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 10UF 160V
BAV170,215
二极管，整流器 - 阵列 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SW DUAL 75V 215MA SOT-23
B58600D8010A11
压力 EPCOS Inc 模具 PRESSURE SENSOR AEA 2.500 C28/1
C1206X103KCRACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 10000PF 500V X7R 1206
74ABT646CMTC
逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 Fairchild Semiconductor 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC TRANSCVR TRI-ST 8BIT 24TSSOP
C0603C102F5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1000PF 50V 1% NP0 0603
B44030A64B
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO AL-ELKO
B43821A1157M
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 150UF 160V
B58600D8010A14
压力 EPCOS Inc 模具 PRESSURE SENSOR AEA 25.00 C28/1
C1206X103KCRACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 10000PF 500V X7R 1206
C0603C102G3GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1000PF 25V 2% NP0 0603
B44030J35B
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO AL-ELKO
C0402C510F8GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 51PF 10V 1% NP0 0402

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