BA78M08FP-E2 全国供应商、价格、PDF资料
BA78M08FP-E2详细规格
- 类别:PMIC - 稳压器 - 线性
- 描述:IC REG LDO 8V .5A TO-252-3
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 稳压器拓扑:正,固定式
- 电压_输出:8V
- 电压_输入:10.5 V ~ 23 V
- 电压_跌落(典型值):2V @ 500mA
- 稳压器数:1
- 电流_输出:500mA(最小值)
- 电流_限制(最小值):-
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:TO-252-3
- 包装:剪切带 (CT)
BA78M08FP-E2详细规格
- 类别:PMIC - 稳压器 - 线性
- 描述:IC REG LDO 8V .5A TO-252-3
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 稳压器拓扑:正,固定式
- 电压_输出:8V
- 电压_输入:10.5 V ~ 23 V
- 电压_跌落(典型值):2V @ 500mA
- 稳压器数:1
- 电流_输出:500mA(最小值)
- 电流_限制(最小值):-
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:TO-252-3
- 包装:带卷 (TR)
BA78M08FP-E2详细规格
- 类别:PMIC - 稳压器 - 线性
- 描述:IC REG LDO 8V .5A TO-252-3
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 稳压器拓扑:正,固定式
- 电压_输出:8V
- 电压_输入:10.5 V ~ 23 V
- 电压_跌落(典型值):2V @ 500mA
- 稳压器数:1
- 电流_输出:500mA(最小值)
- 电流_限制(最小值):-
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:TO-252-3
- 包装:Digi-Reel®
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-201AD,轴向 DIODE 5A 100V 200NS DO-201AD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IC REG LDO 7V .5A TO-252-3
- 单二极管/齐纳 Micro Commercial Co DO-213AC(玻璃) DIODE ZENER 500MW 9.1V MINIMELF
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 10X10 100UH 0.53A
- 共模扼流圈 EPCOS Inc 垂直式,4 PC 引脚 RING CORE DBL CHOKE 7.8MH 6A
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 2008(5020 公制),凹陷 RES ARRAY 68K OHM 4 RES 2008
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 24V 225MW SOT-23
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-201AD,轴向 DIODE 5A 400V 200NS DO-201AD
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 10X10 1.5UH 6.4A
- 共模扼流圈 EPCOS Inc 垂直式,4 PC 引脚 RING CORE DBL CHOKE 3.1MH 8A
- 配件 C&K Components 垂直式,4 PC 引脚 SWITCH LOCK
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 24V 225MW SOT-23
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 2008(5020 公制),凹陷 RES ARRAY 68K OHM 4 RES 2008