B82422H1103K 全国供应商、价格、PDF资料
B82422H1103K详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR 10UH 500MA 1210 10%
- 系列:SIMID
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:10µH
- 电流:
- 额定电流:500mA
- 电流_饱和值:-
- 容差:±10%
- 材料_磁芯:铁氧体鼓形芯
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 460 毫欧
- 不同频率时的Q值:12 @ 2.52MHz
- 频率_自谐振:30MHz
- 工作温度:-
- 封装/外壳:1210(3225 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.098" W x 0.078" H(3.20mm x 2.50mm x 2.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:Digi-Reel®
B82422H1103K详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR 10UH 500MA 1210 10%
- 系列:SIMID
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:10µH
- 电流:
- 额定电流:500mA
- 电流_饱和值:-
- 容差:±10%
- 材料_磁芯:铁氧体鼓形芯
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 460 毫欧
- 不同频率时的Q值:12 @ 2.52MHz
- 频率_自谐振:30MHz
- 工作温度:-
- 封装/外壳:1210(3225 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.098" W x 0.078" H(3.20mm x 2.50mm x 2.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
B82422H1103K详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR 10UH 500MA 1210 10%
- 系列:SIMID
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:10µH
- 电流:
- 额定电流:500mA
- 电流_饱和值:-
- 容差:±10%
- 材料_磁芯:铁氧体鼓形芯
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 460 毫欧
- 不同频率时的Q值:12 @ 2.52MHz
- 频率_自谐振:30MHz
- 工作温度:-
- 封装/外壳:1210(3225 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.098" W x 0.078" H(3.20mm x 2.50mm x 2.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:剪切带 (CT)
B82422H1103K100详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR 10UH 300MA 1210 10%
- 系列:SIMID
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:10µH
- 电流:
- 额定电流:300mA
- 电流_饱和值:-
- 容差:±10%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 1.2 欧姆
- 不同频率时的Q值:15 @ 2.52MHz
- 频率_自谐振:30MHz
- 工作温度:-
- 封装/外壳:1210(3225 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.098" W x 0.078" H(3.20mm x 2.50mm x 2.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:剪切带 (CT)
B82422H1103K100详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR 10UH 300MA 1210 10%
- 系列:SIMID
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:10µH
- 电流:
- 额定电流:300mA
- 电流_饱和值:-
- 容差:±10%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 1.2 欧姆
- 不同频率时的Q值:15 @ 2.52MHz
- 频率_自谐振:30MHz
- 工作温度:-
- 封装/外壳:1210(3225 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.098" W x 0.078" H(3.20mm x 2.50mm x 2.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 390UF 420V
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 6800PF 400VDC RADIAL
- 固定式 EPCOS Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR 1.0UH 650MA 1210 10%
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.015UF 200V 10% RADIAL
- 配件 MPD (Memory Protection Devices) 径向 PROTECT COVER FOR 9V SNAP TERM
- 陶瓷 EPCOS Inc 0805(2012 公制) CAP CER 330PF 200V 5% NP0 0805
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 2200UF 200V
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.075UF 400VDC RADIAL
- PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 IC RESET CMOS 3.1V 50MS 5SSOP
- 配件 MPD (Memory Protection Devices) 1210(3225 公制) PROTECT COVER FOR 9V SNAP TERM
- 陶瓷 EPCOS Inc 0805(2012 公制) CAP CER 1PF 50V NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.15UF 50V 10% RADIAL
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.082UF 400VDC RADIAL
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 2200UF 200V
- PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 IC RESET CMOS 3.2V 200MS 5SSOP