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APTGT75DA120D1G详细规格: 类别：IGBT; 描述：IGBT 1200V 110A 357W D1; 系列：-; 制造商：Microsemi Power Products Group; IGBT类型：沟道和场截止; 配置：单一; 电压_集电极发射极击穿（最大）：1200V; VgewwwwIc时的最大Vce（开）：2.1V @ 15V，75A; 电流_集电极333Ic444（最大）：110A; 电流_集电极截止（最大）：4mA; Vce时的输入电容333Cies444：5345nF @ 25V; 功率_最大：357W; 输入：标准; NTC热敏电阻：无; 安装类型：底座安装; 封装/外壳：D1; 供应商设备封装：D1

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BFC241712403
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.024UF 160VDC RADIAL
B37987F1154K054
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.15UF 100V 10% RADIAL
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IGBT Microsemi Power Products Group ISOTOP IGBT 1200V 140A 480W SOT227
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B32912A4333M289
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.033UF 440VAC RADIAL
AMC07DRAI-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 径向 CONN EDGECARD 14POS .100 R/A PCB
APTGT75TA120PG
IGBT Microsemi Power Products Group SP6 POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6