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APTGT100DA170D1G详细规格: 类别：IGBT; 描述：IGBT 1700V 200A 695W D1; 系列：-; 制造商：Microsemi Power Products Group; IGBT类型：沟道和场截止; 配置：单一; 电压_集电极发射极击穿（最大）：1700V; VgewwwwIc时的最大Vce（开）：2.4V @ 15V，100A; 电流_集电极333Ic444（最大）：200A; 电流_集电极截止（最大）：3mA; Vce时的输入电容333Cies444：8.5nF @ 25V; 功率_最大：695W; 输入：标准; NTC热敏电阻：无; 安装类型：底座安装; 封装/外壳：D1; 供应商设备封装：D1

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APSCPB2
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ADS58B18IRGZT
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B37982N5103M000
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 10000PF 50V 20% RADIAL
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薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.03UF 2.5KVDC RADIAL
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RF 前端 (LNA + PA) Texas Instruments IC DUAL IF BTS RCVR 80HTQFP
APSCPB7E2
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 10MM 3POS 1P67 W/PIN
ADR292GRZ
PMIC - 电压基准 Analog Devices Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC VREF SERIES PREC 4.096V 8SOIC
BFC238370303
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.03UF 2.5KVDC RADIAL
B37982N5104M000
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.1UF 50V 20% Z5U RADIAL