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APT75DQ100BG详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE ULT FAST 75A 1000V TO-247; 系列：-; 制造商：Microsemi Power Products Group; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：1000V（1kV）; 电流_平均整流333Io444：75A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：3V @ 75A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：250ns; 电流_在Vr时反向漏电：100µA @ 1000V; 电容0a0VrwwwwF：-; 安装类型：通孔，径向; 封装/外壳：TO-247-2; 供应商设备封装：TO-247 [B]; 包装：管件

APT75DQ120BG详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE ULT FAST 75A 1200V TO-247; 系列：-; 制造商：Microsemi Power Products Group; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：1200V（1.2kV）; 电流_平均整流333Io444：75A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：3.1V @ 75A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：325ns; 电流_在Vr时反向漏电：100µA @ 1200V; 电容0a0VrwwwwF：-; 安装类型：通孔，径向; 封装/外壳：TO-247-2; 供应商设备封装：TO-247 [B]; 包装：管件

APT75DQ60BG详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE ULT FAST 75A 600V TO-247; 系列：-; 制造商：Microsemi Power Products Group; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：600V; 电流_平均整流333Io444：75A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：2.5V @ 75A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：31ns; 电流_在Vr时反向漏电：25µA @ 600V; 电容0a0VrwwwwF：-; 安装类型：通孔，径向; 封装/外壳：TO-247-2; 供应商设备封装：TO-247 [B]; 包装：管件

APT75F50B2详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 75A TO-247; 系列：POWER MOS 8™; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 37A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 2.5mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：290nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：11600pF @ 25V; 功率_最大：1040W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-247-3 变式; 供应商设备封装：T-MAX? [B2]; 包装：管件

APT75F50L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 75A TO-264; 系列：POWER MOS 8™; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 37A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 2.5mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：290nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：11600pF @ 25V; 功率_最大：1040W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA; 供应商设备封装：TO-264 [L]; 包装：管件

APT75GN120B2G详细规格: 类别：IGBT - 单路; 描述：IGBT 1200V 200A 833W TMAX; 系列：-; 制造商：Microsemi Power Products Group; IGBT类型：沟道和场截止; 电压_集电极发射极击穿（最大）：1200V; VgewwwwIc时的最大Vce（开）：2.1V @ 15V，75A; 电流_集电极333Ic444（最大）：200A; 功率_最大：833W; 输入类型：标准; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-247-3 变式; 供应商设备封装：T-MAX? [B2]; 包装：管件

APT6M100K
FET - 单 Microsemi Power Products Group TO-220-3 MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
55000005-002
配件 Honeywell Sensing and Control TO-220-3 PROGRAMMING MODULE
B37872K1153K070
陶瓷 EPCOS Inc 1206（3216 公制） CAP CER 0.015UF 100V X7R 1206
ASET-33.000MHZ-Y-T
振荡器 Abracon Corporation 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 33.000 MHZ 3.0V SMD
AUIRF7341Q
其它 International Rectifier MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
52963-5
端子 - 铲形 TE Connectivity CONN SPADE SPRING SHORT 12-10AWG
ATADAPMEGA162
配件 Atmel ADAPTER PERSON ICE50 ATMEGA162
55000005-002
配件 Honeywell Sensing and Control PROGRAMMING MODULE
C0603X5R1E151K
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 150PF 25V 10% X5R 0201
B37872K1472K060
陶瓷 EPCOS Inc 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 100V X7R 1206
ASET-38.400MHZ-Y-T
振荡器 Abracon Corporation 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 38.400 MHZ 3.0V SMD
5296C BK199
多芯导线 Alpha Wire 6-SMD，无引线（DFN，LCC） 5296C BLACK 1000 = 1000 FT
ATADAPMEGA162
配件 Atmel 6-SMD，无引线（DFN，LCC） ADAPTER PERSON ICE50 ATMEGA162
C0603X5R1E152K
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 1500PF 25V 10% X5R 0201
55000005-002
配件 Honeywell Sensing and Control 0201（0603 公制） PROGRAMMING MODULE

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