2STD1665 全国供应商、价格、PDF资料

2STD1665T4详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN FAST LV DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：6A

电压_集电极发射极击穿（最大）：65V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：380mV @ 300mA，6A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：150 @ 2A，1V

功率_最大：15W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：D-Pak

包装：剪切带 (CT)

2STD1665T4详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN FAST LV DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：6A

电压_集电极发射极击穿（最大）：65V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：380mV @ 300mA，6A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：150 @ 2A，1V

功率_最大：15W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：D-Pak

包装：Digi-Reel®

2STD1665T4详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN FAST LV DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：6A

电压_集电极发射极击穿（最大）：65V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：380mV @ 300mA，6A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：150 @ 2A，1V

功率_最大：15W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：D-Pak

包装：带卷 (TR)