

2SK3903(F)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO-3PN
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:440 毫欧 @ 7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3100pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3P(N)
- 包装:散装
2SK3906(Q)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:330 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4250pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3P(N)
- 包装:散装
2SK3907(Q)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 23A TO-3PN
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:23A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:230 毫欧 @ 11.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4250pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3P(N)
- 包装:散装
2SK3911(Q)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:320 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4250pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3P(N)
- 包装:散装
2SK3934(Q,M)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO220SIS
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 7.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3100pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:TO-220SIS
- 包装:散装
2SK3935(Q,M)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 450V 17A TO220SIS
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:450V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 8.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3100pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:TO-220SIS
- 包装:散装
- 接线座 - 配件 Phoenix Contact TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 END COVER GRAY
- 电池座,夹,触点 Keystone Electronics TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RETAINER COIN CELL SMD 2354
- FET - 单 Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 600V 14A TO-3PN
- 光纤 Conec TO-3P-3,SC-65-3 FIBER OPTIC CBL ASSY IP67 5M
- 绝缘体 Bivar Inc TO-3P-3,SC-65-3 PERM-O-PADS RECTANGULAR
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-23
- 扁平带 3M TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CABLE 16 COND RIBBON WHT 100’
- 电容器 Rubycon 2917(7343 公制) CAP ALUM 270UF 2V 20% SMD
- 接线板 - 专用 Phoenix Contact 2917(7343 公制) FEED-THRU TERM BLOCK 24-12AWG
- 加速计 Measurement Specialties Inc/Schaevitz 粘贴安装 SENS ACCLRMTR 5G ADHESV MT
- 光纤 Conec 粘贴安装 FIBER OPTIC CBL ASSY IP67 7M
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 TRANSISTOR NPN 50V 100MA SC-70
- 电容器 Rubycon 2917(7343 公制) CAP ALUM 330UF 2V 20% SMD
- 扁平带 3M 2917(7343 公制) CABLE 20 COND RIBBON WHT 100FT
- 接线座 - 配件 Phoenix Contact 2917(7343 公制) END COVER GRAY