2SK386 全国供应商、价格、PDF资料

2SK3863(TE16L1,Q)详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 500V 5A DP

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：500V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 2.5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V

功率_最大：40W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：DP

包装：带卷 (TR)

2SK3868(Q,M)详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：500V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 欧姆 @ 2.5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V

功率_最大：35W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商设备封装：TO-220SIS

包装：散装

2SK3869(Q)详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 450V 10A TO220SIS

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：450V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：680 毫欧 @ 5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1050pF @ 25V

功率_最大：40W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商设备封装：TO-220SIS

包装：散装