

2SK3017详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 900V 8.5A TO-3PN
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:900V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.25 欧姆 @ 4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 25V
- 功率_最大:90W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3P(N)IS
- 包装:管件
2SK3017(F)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 900V 8.5A TO-3PN
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:900V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.25 欧姆 @ 4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 25V
- 功率_最大:90W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3P(N)IS
- 包装:管件
2SK3018T106详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 欧姆 @ 10mA,4V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:13pF @ 5V
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:UMT3
- 包装:剪切带 (CT)
2SK3018T106详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 欧姆 @ 10mA,4V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:13pF @ 5V
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:UMT3
- 包装:Digi-Reel®
2SK3018T106详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 欧姆 @ 10mA,4V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:13pF @ 5V
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:UMT3
- 包装:带卷 (TR)
2SK3019TL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 欧姆 @ 10mA,4V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:13pF @ 5V
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-75,SOT-416
- 供应商设备封装:EMT3
- 包装:带卷 (TR)
- 带 3M (TC) 径向,圆盘 TAPE POLY FOAM 3/4" X 5YD
- FET - 单 Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
- 矩形 - 自由悬挂,面板安装 TE Connectivity TO-3P-3,SC-65-3 CONN RECEPT 24POS 22AWG MTA156
- 多芯导线 TE Connectivity TO-3P-3,SC-65-3 CABLE 20AWG TWISTED
- 端子 - 环形 TE Connectivity TO-3P-3,SC-65-3 CONN RING 90DEG 4AWG #5/16 A-BND
- 面板指示器,指示灯 Dialight TO-3P-3,SC-65-3 LED 1" DOME GREEN 125VDC C1D2
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 560PF 6KV 20% RADIAL
- 光纤 TE Connectivity 径向,圆盘 CA 62.5/125 LDDZP SCDUP SCDUP
- 带 3M (TC) 径向,圆盘 TAPE TRANSFER ADHSIVE 3/4" X 5YD
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 5.11K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- D形,Centronics TE Connectivity 轴向 KIT, PLUG, 50 POS, B SLOT
- 面板指示器,指示灯 Dialight 轴向 LED 1" DOME B/G PMI 12VDC C1D2
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 220PF 6KV 10% RADIAL
- 带 3M (TC) 径向,圆盘 TAPE TRANSFER ADHSIVE 3/4" X 5YD
- 光纤 TE Connectivity 径向,圆盘 CA 62.5/125 LDDZP SCDUP SCDUP