

2SJ681(Q)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 10V
- 功率_最大:20W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:PW-MOLD2
- 包装:散装
2SJ683-TL-E详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 65A ZP
- 系列:-
- 制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:65A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫欧 @ 33A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:290nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:15500pF @ 20V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:3-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:ZP
- 包装:Digi-Reel®
2SJ683-TL-E详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 65A ZP
- 系列:-
- 制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:65A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫欧 @ 33A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:290nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:15500pF @ 20V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:3-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:ZP
- 包装:剪切带 (CT)
2SJ683-TL-E详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 65A ZP
- 系列:-
- 制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:65A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫欧 @ 33A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:290nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:15500pF @ 20V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:3-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:ZP
- 包装:带卷 (TR)
2SJ687-ZK-E1-AY详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH -20V -20A TO-252
- 系列:-
- 制造商:Renesas Electronics America
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 10A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4400pF @ 10V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252(MP-3ZK)
- 包装:剪切带 (CT)
2SJ687-ZK-E1-AY详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH -20V -20A TO-252
- 系列:-
- 制造商:Renesas Electronics America
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 10A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4400pF @ 10V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252(MP-3ZK)
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 AVX Corporation 1825(4564 公制) CAP CER 680PF 2KV 10% NP0 1825
- 矩形 - 配件 3M 1825(4564 公制) CONN LONG EJECT LATCH GRAY
- FET - 单 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 3-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 60V 65A ZP
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 56PF 100V 10% NP0 0805
- 矩形 - 外壳 TE Connectivity 0805(2012 公制) CONN RCPT HOUSING 2POS 2.5MM
- 陶瓷 AVX Corporation 1812(4532 公制) CAP CER 680PF 3KV 20% X7R 1812
- 陶瓷 AVX Corporation 1825(4564 公制) CAP CER 820PF 2KV 5% NP0 1825
- 接线座 - 接头,插头和插口 Phoenix Contact 1825(4564 公制) SPRING CAGE CONN 5POS 28-12AWG
- 陶瓷 AVX Corporation 1812(4532 公制) CAP CER 0.02UF 1KV 10% X7R 1812
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 560PF 100V 5% NP0 0805
- 面板指示器,指示灯 Chicago Miniature Lighting, LLC 0805(2012 公制) INDICATOR NEON WHITE PANEL MNT
- 接线板 - 专用 Phoenix Contact 0805(2012 公制) FEED THROUGH TERM BLOCK 28-12AWG
- 陶瓷 AVX Corporation 1812(4532 公制) CAP CER 22PF 1KV 10% X7R 1812
- 陶瓷 AVX Corporation 1825(4564 公制) CAP CER 1000PF 2KV 10% X7R 1825
- 陶瓷 AVX Corporation 1812(4532 公制) CAP CER 820PF 3KV 10% X7R 1812