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2SJ681(Q)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 2.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 10V; 功率_最大：20W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA; 供应商设备封装：PW-MOLD2; 包装：散装

2SJ683-TL-E详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 65A ZP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：65A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫欧 @ 33A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：290nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：15500pF @ 20V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：3-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：ZP; 包装：Digi-Reel®

2SJ683-TL-E详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 65A ZP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：65A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫欧 @ 33A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：290nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：15500pF @ 20V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：3-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：ZP; 包装：剪切带 (CT)

2SJ683-TL-E详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 65A ZP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：65A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫欧 @ 33A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：290nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：15500pF @ 20V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：3-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：ZP; 包装：带卷 (TR)

2SJ687-ZK-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH -20V -20A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 10A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 10V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252（MP-3ZK）; 包装：剪切带 (CT)

2SJ687-ZK-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH -20V -20A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 10A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 10V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252（MP-3ZK）; 包装：Digi-Reel®

1825GA681KAT1A\SB
陶瓷 AVX Corporation 1825（4564 公制） CAP CER 680PF 2KV 10% NP0 1825
3505-31 (BULK PK)
矩形 - 配件 3M 1825（4564 公制） CONN LONG EJECT LATCH GRAY
2SJ683-TL-E
FET - 单 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 3-SMD，扁平引线 MOSFET P-CH 60V 65A ZP
08051A560KAT2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 56PF 100V 10% NP0 0805
2110992-2
矩形 - 外壳 TE Connectivity 0805（2012 公制） CONN RCPT HOUSING 2POS 2.5MM
1812HC681MAT1A\SB
陶瓷 AVX Corporation 1812（4532 公制） CAP CER 680PF 3KV 20% X7R 1812
1825GA821JATBE
陶瓷 AVX Corporation 1825（4564 公制） CAP CER 820PF 2KV 5% NP0 1825
3040449
接线座 - 接头，插头和插口 Phoenix Contact 1825（4564 公制） SPRING CAGE CONN 5POS 28-12AWG
1812AC203KAT1A
陶瓷 AVX Corporation 1812（4532 公制） CAP CER 0.02UF 1KV 10% X7R 1812
08051A561JAT2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 560PF 100V 5% NP0 0805
2110QA4
面板指示器，指示灯 Chicago Miniature Lighting, LLC 0805（2012 公制） INDICATOR NEON WHITE PANEL MNT
3040656
接线板 - 专用 Phoenix Contact 0805（2012 公制） FEED THROUGH TERM BLOCK 28-12AWG
1812AC220KATME
陶瓷 AVX Corporation 1812（4532 公制） CAP CER 22PF 1KV 10% X7R 1812
1825GC102KAT1A
陶瓷 AVX Corporation 1825（4564 公制） CAP CER 1000PF 2KV 10% X7R 1825
1812HC821KAT1A\SB
陶瓷 AVX Corporation 1812（4532 公制） CAP CER 820PF 3KV 10% X7R 1812

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