2SD2657TL 全国供应商、价格、PDF资料

2SD2657TL详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 50mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：270 @ 100mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：300MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TSMT3

包装：带卷 (TR)

2SD2657TL详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 50mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：270 @ 100mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：300MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TSMT3

包装：Digi-Reel®

2SD2657TL详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 50mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：270 @ 100mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：300MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TSMT3

包装：剪切带 (CT)