2SD2153 全国供应商、价格、PDF资料

2SD2153T100U详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 25V 2A SOT-89 TR

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 20mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：560 @ 500mA，6V

功率_最大：2W

频率_转换：110MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：MPT3

包装：带卷 (TR)

2SD2153T100V详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 25V 2A SOT-89

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 20mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：820 @ 500mA，6V

功率_最大：2W

频率_转换：110MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：MPT3

包装：带卷 (TR)

2SD2153T100V详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 25V 2A SOT-89

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 20mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：820 @ 500mA，6V

功率_最大：2W

频率_转换：110MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：MPT3

包装：Digi-Reel®

2SD2153T100V详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 25V 2A SOT-89

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 20mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：820 @ 500mA，6V

功率_最大：2W

频率_转换：110MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：MPT3

包装：剪切带 (CT)