2SD206 全国供应商、价格、PDF资料

2SD20640S详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 120VCEO 6A TOP-3F

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：6A

电压_集电极发射极击穿（最大）：120V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 400mA，4A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 1A，5V

功率_最大：3W

频率_转换：20MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TOP-3F

供应商设备封装：TOP-3F-A1

包装：散装

2SD20670RA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 100VCEO 2A MT-2

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 1mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：8000 @ 1A，10V

功率_最大：1W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：3-SIP

供应商设备封装：MT-2-A1

包装：剪切带 (CT)

2SD20670RA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 100VCEO 2A MT-2

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 1mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：8000 @ 1A，10V

功率_最大：1W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：3-SIP

供应商设备封装：MT-2-A1

包装：带盒（TB）