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2SC6114T2LQ详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 50V 100MA VMN3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，25mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 2mA，6V

功率_最大：150mW

频率_转换：130MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-72 成形引线

供应商设备封装：VMN3

包装：带卷 (TR)

2SC6114T2LR详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 50V 100MA VMN3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，25mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，6V

功率_最大：150mW

频率_转换：130MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-72 成形引线

供应商设备封装：VMN3

包装：带卷 (TR)

2SC6144详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN BIPO 10A 50V TO-220ML

系列：*

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：10A

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：360mV @ 300mA，6A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 270mA，2V

功率_最大：2W

频率_转换：330MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商设备封装：TO-220ML

包装：散装

2SC6144SG详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN BIPO 10A 50V TO-220ML

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：10A

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：360mV @ 300mA，6A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 270mA，2V

功率_最大：25W

频率_转换：330MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：*

包装：管件