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2SC5501A-4-TR-E详细规格

类别：RF 晶体管 (BJT)

描述：TRANS NPN BIPO VHF-UHF MCP4

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电压_集电极发射极击穿（最大）：10V

频率_转换：7GHz

噪声系数（dB典型值0a0频率）：1dB @ 1GHz

增益：13dB

功率_最大：500mW

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：90 @ 20mA，5V

电流_集电极333Ic444（最大）：70mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-82A，SOT-343

供应商设备封装：4-MCP

包装：带卷 (TR)

2SC5536A-TL-H详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN BIPO 50MA 12V SSFP

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：50mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 3mA，2V

功率_最大：100mW

频率_转换：1.7GHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-SMD，鸥翼型

供应商设备封装：*

包装：带卷 (TR)

2SC5548(TE16L1,NQ)详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 370V 2A PW-MOLD

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：370V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100mA，800mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 200mA，5V

功率_最大：1W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：PW-MOLD

包装：带卷 (TR)

2SC5551AE-TD-E详细规格

类别：RF 晶体管 (BJT)

描述：TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

频率_转换：3.5GHz

噪声系数（dB典型值0a0频率）：-

增益：-

功率_最大：1.3W

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：90 @ 50mA，5V

电流_集电极333Ic444（最大）：300mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：PCP

包装：带卷 (TR)

2SC5551AF-TD-E详细规格

类别：RF 晶体管 (BJT)

描述：TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

频率_转换：3.5GHz

噪声系数（dB典型值0a0频率）：-

增益：-

功率_最大：1.3W

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：135 @ 50mA，5V

电流_集电极333Ic444（最大）：300mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：PCP

包装：带卷 (TR)

2SC555600L详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 10VCEO 80MA MINI-3

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：80mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：10V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 20mA，8V

功率_最大：300mW

频率_转换：6GHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：迷你型3-G1

包装：带卷 (TR)