

2SC5415AE-TD-E详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):12V
- 频率_转换:6.7GHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):1.1dB @ 1GHz
- 增益:9dB
- 功率_最大:800mW
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:90 @ 30mA,5V
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:PCP
- 包装:带卷 (TR)
2SC54190RA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 300VCEO 70MA MT-2
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):70mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):300V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 5mA,10V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:3-SIP
- 供应商设备封装:MT-2-A1
- 包装:带盒(TB)
2SC54190RA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 300VCEO 70MA MT-2
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):70mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):300V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 5mA,10V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:50MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:3-SIP
- 供应商设备封装:MT-2-A1
- 包装:剪切带 (CT)
2SC5439(F)详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 450V 8A TO220NIS
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):8A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):450V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 640mA,3.2A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:14 @ 1A,5V
- 功率_最大:2W
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:TO-220NIS
- 包装:管件
2SC5458(TE16L1,NQ)详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 400V 0.8A PW-MOLD
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):400V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 40mA,300mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 100mA,5V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PW-MOLD
- 包装:带卷 (TR)
2SC5465(Q)详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 800V 0.8A PW-MOLD
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):800V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 60mA,300mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 1mA,5V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PW-MOLD
- 包装:散装
- 矩形- 接头,公引脚 TE Connectivity 径向 CONN HEADER 40POS VERT T/H .100
- 晶体管(BJT) - 单路 Toshiba TO-243AA TRANSISTOR NPN 400V 0.05A SC-62
- Card Edge, Edgeboard Connectors EDAC Inc TO-243AA HI P GRN CARD EDGE .100 X .200
- 矩形- 接头,插座,母插口 FCI TO-243AA LPVCC 4.5 T.E SMT ASSY
- 网络、阵列 Bourns Inc. 6-SIP RES NET MULT OHM 8 RES 6-SIP
- 摇臂 E-Switch 6-SIP SWITCH ROCKER SPDT 0.4VA 20V
- Hex, Torx Keys Wiha 6-SIP HEX KEY T-HANDLE 5/16" 7"
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 6-SIP BACKPLANE EXP RACK INTERFACE
- 端子 - 铲形 TE Connectivity 6-SIP CONN SPADE SRING 14-18AWG #10
- 矩形- 接头,插座,母插口 FCI TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 LPVCC 4.5 T.E SMT ASSY
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TERM BARRIER 2CIRC SGL ROW .4375
- 摇臂 E-Switch TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 SWITCH ROCKER SPDT 5A 120V
- 矩形 - 外壳 Molex Connector Corporation TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 CONN PLUG 12POS DUAL BLACK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 BACKPLANE CPU I/O CONTROL UNIT
- RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 Laird Technologies EMI TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 GASKET FABRIC/FOAM 8X10MM RECT