2SB1709TL 全国供应商、价格、PDF资料

2SB1709TL详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 12V 1.5A TSMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 25mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：270 @ 200mA，2V

功率_最大：500mW

频率_转换：400MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TSMT3

包装：剪切带 (CT)

2SB1709TL详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 12V 1.5A TSMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 25mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：270 @ 200mA，2V

功率_最大：500mW

频率_转换：400MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TSMT3

包装：Digi-Reel®

2SB1709TL详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 12V 1.5A TSMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 25mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：270 @ 200mA，2V

功率_最大：500mW

频率_转换：400MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TSMT3

包装：带卷 (TR)