2SB1216T 全国供应商、价格、PDF资料

2SB1216T-E详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP BIPO 4A 100V TP

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 500mA，5V

功率_最大：1W

频率_转换：180MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB

供应商设备封装：TP

包装：散装

2SB1216T-H详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP BIPO 4A 100V TP

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 500mA，5V

功率_最大：1W

频率_转换：180MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB

供应商设备封装：TP

包装：散装

2SB1216T-TL-E详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP BIPO 4A 100V TP-FA

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 500mA，5V

功率_最大：1W

频率_转换：180MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：TP-FA

包装：带卷 (TR)

2SB1216T-TL-H详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP BIPO 4A 100V TP-FA

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 500mA，5V

功率_最大：1W

频率_转换：180MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：TP-FA

包装：带卷 (TR)