2SB1132T100Q 全国供应商、价格、PDF资料

2SB1132T100Q详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 32V 1A SO-89

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 100mA，3V

功率_最大：2W

频率_转换：150MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：MPT3

包装：剪切带 (CT)

2SB1132T100Q详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 32V 1A SO-89

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 100mA，3V

功率_最大：2W

频率_转换：150MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：MPT3

包装：带卷 (TR)

2SB1132T100Q详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 32V 1A SO-89

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 100mA，3V

功率_最大：2W

频率_转换：150MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：MPT3

包装：Digi-Reel®