2SA2029T2LR 全国供应商、价格、PDF资料

2SA2029T2LR详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 50V 0.15A VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 1mA，6V

功率_最大：150mW

频率_转换：140MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商设备封装：VMT3

包装：带卷 (TR)

2SA2029T2LR详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 50V 0.15A VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 1mA，6V

功率_最大：150mW

频率_转换：140MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商设备封装：VMT3

包装：Digi-Reel®

2SA2029T2LR详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 50V 0.15A VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 1mA，6V

功率_最大：150mW

频率_转换：140MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商设备封装：VMT3

包装：剪切带 (CT)