2SA193 全国供应商、价格、PDF资料

2SA1930(Q,M)详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP 180V 2A TO220NIS

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：180V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V

功率_最大：2W

频率_转换：200MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商设备封装：TO-220NIS

包装：管件

2SA1931,Q(M详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP 50V 5A TO220NIS

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 1A，1V

功率_最大：2W

频率_转换：60MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商设备封装：TO-220NIS

包装：管件

2SA1932(TP,Q)详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 230V 1A TPL

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：230V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V

功率_最大：1.8W

频率_转换：70MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3（SMT）标片

供应商设备封装：TPL

包装：带盒（TB）