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2N7051详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL NPN 100V TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：200nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 1A，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

2N7051_D10Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL NPN 100V TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：200nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 1A，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

2N7052详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：IC TRANS NPN DARL SS 1.5A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：200nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 1A，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

2N7052_D74Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL NPN 100V TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：200nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 1A，5V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

2N7053详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL NPN 100V TO-226; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：200nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 1A，5V; 功率_最大：1W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-226; 包装：散装

2N7053_D26Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL NPN 100V TO-226; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：200nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 1A，5V; 功率_最大：1W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-226; 包装：带卷 (TR)

325038-23-0
接线座 - 隔板块 Curtis Industries 2917（7343 公制） TERM BARRIER 23CIRC SGL ROW .325
3G3AX-RAO11500026-DE
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 2917（7343 公制） 3G3_X OUTPUT AC REACTOR
2N7002W-7-F
FET - 单 Diodes Inc SC-70，SOT-323 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
3131000 TN199
单芯导线 Alpha Wire SC-70，SOT-323 3131000 TAN 1000 FT
3-1437508-9
用于 IC 的插座，晶体管 TE Connectivity SC-70，SOT-323 CONN TRANS SKT 8PIN PRINTED CIR
25LC010A-I/P
存储器 Microchip Technology 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC EEPROM 1KBIT 10MHZ 8DIP
412702000
配件 C&K Components HDWR ASSY ROD 5-7 MODULES SER 3
325040-09-0
接线座 - 隔板块 Curtis Industries TERM BARRIER 9CIRC SGL ROW .325
3-1879070-1
通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 0.24 OHM 3W 5% AXIAL
3131265 TN001
单芯导线 Alpha Wire TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 3131265 TAN 1000 FT
3-1437515-7
矩形 - 接头，专用引脚 TE Connectivity TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 CONN PLUG ADPT 16PIN SLOTTED
25LC010AT-E/SN
存储器 Microchip Technology 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC EEPROM 1KBIT 10MHZ 8SOIC
412702000
配件 C&K Components 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） HDWR ASSY ROD 5-7 MODULES SER 3
325040-26-0
接线座 - 隔板块 Curtis Industries 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） TERM BARRIER 26CIRC SGL ROW .325
3-1879070-2
通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 0.30 OHM 3W 5% AXIAL

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