

2N7002LT1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:115mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
2N7002LT1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:115mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
2N7002LT1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:115mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
2N7002LT1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:115mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:Digi-Reel®
2N7002LT3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:115mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
2N7002LT3G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:115mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
- 面板指示器,指示灯 Dialight 轴向 LED HOLDER
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 1206(3216 公制) RES 36.0 OHM 1/2W 5% 1206
- FET - 单 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 40.0K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 轴向 TERM BARRIER 3CIRC SGL ROW .325
- 配件 TE Connectivity 轴向 LAMP T1 3/4 0.34MSCP FOR COMMAND
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 轴向 TERM BARRIER 17CIRC 1 ROW .4375
- 矩形 - 外壳 TE Connectivity 轴向 CONN HOUSING 20POS .050 RED
- 原型开发板 - 穿孔 Vector Electronics 轴向 PC BOARD PAD-PER-HOLE 4.5X6.5
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TERM BARRIER 14CIRC SGL ROW .325
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 523 OHM 1/4W 0.5% AXIAL
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 轴向 TERM BARRIER 23CIRC 1 ROW .4375
- 配件 TE Connectivity 轴向 LAMP T1 3/4 0.34MSCP FOR COMMAND
- 带 3M 轴向 TAPE SEALING INDUST 72MMX100M
- D-Sub TE Connectivity 轴向 CONN PLUG 9POS R/A 30GOLD T/H