2N5551TA 全国供应商、价格、PDF资料

2N5551TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：AMP GP NPN 160V 600MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：600mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：160V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V

功率_最大：625mW

频率_转换：100MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：剪切带 (CT)

2N5551TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：AMP GP NPN 160V 600MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：600mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：160V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V

功率_最大：625mW

频率_转换：100MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带盒（TB）

2N5551TAR详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：AMP GP NPN 160V 600MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：600mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：160V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V

功率_最大：625mW

频率_转换：100MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带盒（TB）