型号:TPS1120DG4
类别:FET - 阵列
制造商:Texas Instruments
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
系列:-
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:15V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.17A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫欧 @ 1.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.45nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:840mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC
包装:管件
厂 商:MURATA [ MURATA MANUFACTURING CO., LTD. ]
描 述:200W 3Ux4HP AC/DC CompactPCI
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