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详细参数
型号:SUP50N03-5M1P-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 30V TO-220AB
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:5.1 毫欧 @ 22A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2780pF @ 15V
功率_最大:2.7W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:散装
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厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:P-Channel 8-V (D-S), 175C MOSFET
大 小:49K
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