型号:STU10NM60N
类别:FET - 单
制造商:STMicroelectronics
封装:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
描述:MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
系列:MDmesh™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:550 毫欧 @ 4A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 50V
功率_最大:70W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装:I-Pak
包装:管件
厂 商:ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述:N - CHANNEL 800V - 0.65ohm - 10A - Max220 PowerMESHO MOSFET
大 小:45K