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详细参数

型号：STP80N20M5

类别：FET - 单

制造商：STMicroelectronics

封装：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 200V 61A TO-220

系列：MDmesh™

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：200V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：61A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 30.5A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：104nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：4329pF @ 50V

功率_最大：190W

安装类型：通孔

封装__外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

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厂商：ST [ STMICROELECTRONICS ]

描述：2kV NPN Darlington transistor

大小：82K

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