型号:STB8NM60T4
类别:FET - 单
制造商:STMicroelectronics
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
系列:MDmesh™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:650V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1 欧姆 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:400pF @ 25V
功率_最大:100W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:剪切带 (CT)
厂 商:ST [ STMICROELECTRONICS ]
描 述:N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 Ω, 8 A MDmesh? Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK
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