型号:SSR1N60BTM
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:900mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:12 欧姆 @ 450mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:215pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)
厂 商:SSDI [ Solid States Devices, Inc ]
描 述:2 AMP 25 VOLTS SCHOTTKY RECTIFIER
大 小:51K