型号：SQJ412EP-T1-GE3
类别：FET - 单
制造商：Vishay Siliconix
封装：PowerPAK? SO-8
描述：MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
系列：TrenchFET®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：32A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 10.3A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：5950pF @ 20V
功率_最大：83W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
包装：Digi-Reel®
厂 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：Automotive N- and P-Channel 40 V (D-S) 175 Celsius MOSFET
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