型号:SPD11N10
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
系列:SIPMOS®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫欧 @ 7.8A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 21µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18.3nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:400pF @ 25V
功率_最大:50W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:P-TO252-3
包装:带卷 (TR)
厂 商:INFINEON [ INFINEON ]
描 述:SIPMOS Power-Transistor
大 小:505K