型号:SPD01N60C3
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
系列:CoolMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:650V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:800mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3.9V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:100pF @ 25V
功率_最大:11W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:PG-TO252-3
包装:Digi-Reel®
厂 商:SANYO [ Sanyo Semicon Device ]
描 述:C to Ku Band Mixer, Detector, Modulator Applications
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