型号:SPB02N60C3
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
系列:CoolMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:650V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 1.1A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3.9V @ 80µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
功率_最大:25W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:PG-TO263-3
包装:带卷 (TR)
厂 商:SSDI [ Solid States Devices, Inc ]
描 述:10 AMP 20 VOLTS BYPASS DIODE ASSEMBLY
大 小:50K